Intel rend la mémoire flash plus rapide

Des transferts cinq fois plus rapides, telle est la prouesse d'un tout nouveau composant de mémoire flash dont Intel vient de présenter un prototype. Les débits annoncés sont de 200 Mo/s en lecture et 100 Mo/s en écriture, à comparer aux 40 Mo/s et 20 Mo/s des modèles actuels. Ces chiffres signifient surtout que les disques SSD vont enfin rivaliser de vitesse avec leurs équivalents magnétiques. Rappelons que l'intérêt des unités de stockage à base de mémoire flash est double. D'une part, elles sont moins fragiles puisqu'elles n'intègrent aucun élément mécanique et, d'autre part, elles nécessitent moins d'énergie pour fonctionner, ce qui garantit une plus grande autonomie sur les portables et moins de chaleur dégagée dans les serveurs. La production devrait démarrer dès le second trimestre. Parmi les noms des premiers clients intéressés figure celui dApple...